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一种具有可见光波段的深紫外LED器件及其制备方法

摘要

本发明公开了一种具有可见光波段的深紫外LED器件及其制备方法,所述具有可见光波段的深紫外LED器件由下至上依次设置有蓝宝石衬底、AlN本征层、n型AlGaN层、电流扩展层、深紫外波段量子阱有源层、可见波段量子阱有源层、电子阻挡层、p型AlGaN注入层、p型GaN接触层、DBR层、p电极以及n电极。本发明通过在外延结构中单片集成基于AlGaN材料的深紫外波段量子阱与基于InGaN材料的可见光波段的量子阱,从而真正实现单颗器件既有深紫外波段发光又有可见光波段发光,并简化了双色灯珠器件的制作工序,降低了双色灯珠器件制作成本。

著录项

  • 公开/公告号CN111223969B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-07-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 武汉深紫科技有限公司;

    申请/专利号CN202010026984.6

  • 发明设计人 张骏;袁章洁;戴江南;陈长清;

    申请日2020-01-10

  • 分类号H01L33/06(20100101);H01L33/14(20100101);H01L33/44(20100101);H01L33/00(20100101);

  • 代理机构42231 武汉智嘉联合知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人易贤卫

  • 地址 430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区东信路数码港(光谷创业街73号)E幢一层E1236室

  • 入库时间 2022-08-23 12:09:26

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