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基于双模式的集成ISFET传感器信号差分读出电路

摘要

本发明涉及差分放大器技术领域,特别是一种基于双模式的集成ISFET传感器信号差分读出电路。双模式的集成ISFET信号放大器包括:Ma1和Mb1组成的差分放大器,Ma2、Mb2和Mc组成自举电路,M9,M8,M7,M2,M1电流镜像电路,电流源I1a和I1b,IO。ISFET电流型信号差分电路包括:ISFET放大器和REFET放大器,准参比电极PRE,M1和M3构成二个跟随放大器。本发明适合处理高精度、具有较大动态范围的ISFET传感器输入信号。

著录项

  • 公开/公告号CN100446417C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2008-12-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院电子学研究所;

    申请/专利号CN200410098990.3

  • 发明设计人 杨海钢;魏金宝;

    申请日2004-12-23

  • 分类号H03F3/45(20060101);

  • 代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人周国城

  • 地址 100080 北京市海淀区北四环西路19号

  • 入库时间 2022-08-23 09:01:47

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2008-12-24

    授权

    授权

  • 2006-08-30

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-07-05

    公开

    公开

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