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高亮度相干多结二极管激光器

摘要

本发明公开了激光二极管((210)、(230)),该激光二极管((210)、(230))形成在具有合适厚度和折射率的层((212)、(228))的公共衬底(236)上,并且产生相干耦合的输出光束。可以定位相位掩模以在所述输出光束中的一个或多个中产生相位差,以产生共同的波前相位。相位校正光束以比非相干耦合的传统激光器减小的角度发散传播,并且相干耦合激光二极管可以提供更高的光束亮度、增强的光束参数积和耦合到光纤激光器中的掺杂光纤中的优异功率。

著录项

  • 公开/公告号CN109155502B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-07-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 恩耐公司;

    申请/专利号CN201780026693.3

  • 发明设计人 陈之纲;M·坎斯卡;

    申请日2017-04-04

  • 分类号H01S5/40(20060101);

  • 代理机构72002 永新专利商标代理有限公司;

  • 代理人舒雄文;蹇炜

  • 地址 美国华盛顿州

  • 入库时间 2022-08-23 12:07:48

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