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一种含硅的石墨基锂离子电池负极活性材料及其制备方法

摘要

本发明公开了一种含硅的石墨基锂离子电池负极活性材料及其制备方法,所属方法包括:将硅纳米颗粒‑THF分散体系和多层石墨烯‑THF分散体系混合均匀,得到混合溶液;将混合溶液干燥,除去THF溶剂,并进行退火处理,得到目标添加负极活性物质;将所述目标添加负极活性物质与石墨混合,得到所述含硅的石墨基锂离子电池负极活性材料。本发明利用纳米级的硅纳米颗粒对锂离子电池的传统石墨负极进行添加,依靠硅单质的高理论容量,提升电池比容量,与此同时超细的硅纳米颗粒避免了锂循环过程中体积膨胀对材料结构的影响,防止硅的粉化;并且,加入的多层石墨烯与硅纳米颗粒紧密结合,进一步稳定硅材料的结构,同时弥补硅单质的低电导率。

著录项

  • 公开/公告号CN108511739B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-07-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 天合光能股份有限公司;

    申请/专利号CN201810641637.7

  • 发明设计人 卞铁铮;冯志强;盛赟;张臻;

    申请日2018-06-21

  • 分类号H01M4/36(20060101);H01M4/38(20060101);H01M4/587(20100101);H01M4/62(20060101);H01M10/0525(20100101);B82Y30/00(20110101);

  • 代理机构33233 浙江永鼎律师事务所;

  • 代理人郭小丽

  • 地址 213022 江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号

  • 入库时间 2022-08-23 12:06:36

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