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一种PCBM受体增强型量子点光电探测单元及其制备方法和探测器

摘要

本发明公开了一种PCBM受体增强型量子点光电探测单元及其制备方法和探测器,涉及光电探测器领域,所述光电探测单元包括底栅电极,所述底栅电极上设置介质层,所述介质层的上表面设置有金属电极,所述金属电极旁侧的介质层上表面上设置有单层石墨烯,且单层石墨烯与金属电极相连接,所述单层石墨烯上覆盖有量子点—PCBM杂化薄膜,所述量子点—PCBM杂化薄膜由FaPbBr3量子点材料和PCBM混合而成。本发明采用量子点‑PCBM杂化薄膜作为感光材料来显著提升光电探测器的响应,从而解决了现有基于钙钛矿量子点‑石墨烯的超高响应光电探测器因光电转换效率低能不能应用的技术问题。

著录项

  • 公开/公告号CN108807678B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-07-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 电子科技大学;

    申请/专利号CN201810593722.0

  • 发明设计人 王军;田夫兰;刘鹏;韩佳悦;苟君;

    申请日2018-06-11

  • 分类号H01L51/42(20060101);H01L51/46(20060101);H01L51/48(20060101);

  • 代理机构51230 成都弘毅天承知识产权代理有限公司;

  • 代理人蒋秀清;李春芳

  • 地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

  • 入库时间 2022-08-23 12:06:33

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