公开/公告号CN111492480B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-07-09
原文格式PDF
申请/专利权人 长江存储科技有限责任公司;
申请/专利号CN202080000609.2
申请日2020-03-23
分类号H01L27/11524(20170101);H01L27/11529(20170101);H01L27/11548(20170101);H01L27/1157(20170101);H01L27/11573(20170101);H01L27/11575(20170101);
代理机构11376 北京永新同创知识产权代理有限公司;
代理人张殿慧;刘健
地址 430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
入库时间 2022-08-23 12:05:52
机译: 在三维存储器装置中具有导电部分的接触结构以及用于形成相同的方法
机译: 在三维存储器装置中具有导电部分的接触结构以及用于形成相同的方法
机译: 在三维存储器装置中具有导电部分的接触结构以及用于形成相同的方法