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在三维存储器件中的阶梯结构及用于形成其的方法

摘要

公开了具有阶梯结构的3D存储器件以及用于形成其的方法的实施例。在示例中,3D存储器件包括存储阵列结构和阶梯结构,该阶梯结构在存储阵列结构的中间体中并且将存储阵列结构横向地划分为第一存储阵列结构和第二存储阵列结构。阶梯结构包括第一阶梯区域和连接第一存储阵列结构和第二存储阵列结构的桥接结构。第一阶梯区域包括在第一横向方向上并且在不同的深度处彼此面对的第一对阶梯。各阶梯包括多个台阶。第一对阶梯中的至少一个台阶通过桥接结构电连接至第一存储阵列结构和第二存储阵列结构中的至少一者。

著录项

  • 公开/公告号CN111566813B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-05-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 长江存储科技有限责任公司;

    申请/专利号CN202080000610.5

  • 发明设计人 张中;孙中旺;周文犀;夏志良;

    申请日2020-03-23

  • 分类号H01L27/11524(20170101);H01L27/11556(20170101);H01L27/1157(20170101);H01L27/11582(20170101);

  • 代理机构11376 北京永新同创知识产权代理有限公司;

  • 代理人张殿慧;刘健

  • 地址 430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

  • 入库时间 2022-08-23 11:47:24

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