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一种具有密勒钳位功能的功率MOSFET

摘要

本发明涉及一种具有密勒钳位功能的功率MOSFET,属于功率半导体器件技术领域。本发明的一种具有密勒钳位功能的功率MOSFET(绝缘栅型场效应晶体管)可以将密勒电容上的充放电电流通过单片集成的BJT(双极型晶体管)泄放到源极且只产生少量的栅源压降,这有效的降低了由于密勒电容充放电而造成的功率MOSFET误开启的风险,极大程度的提高了器件的短路鲁棒性。

著录项

  • 公开/公告号CN112802841B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-07-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 成都蓉矽半导体有限公司;

    申请/专利号CN202110374985.4

  • 发明设计人 顾航;高巍;戴茂州;

    申请日2021-04-08

  • 分类号H01L27/07(20060101);

  • 代理机构51232 成都点睛专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人霍淑利

  • 地址 610041 四川省成都市中国(四川)自由贸易试验区成都高新区天府大道中段1366号2栋9楼12-18号

  • 入库时间 2022-08-23 12:05:43

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-08-15

    专利权质押合同登记的生效 IPC(主分类):H01L27/07 专利号:ZL2021103749854 登记号:Y2023980050382 登记生效日:20230731 出质人:成都蓉矽半导体有限公司 质权人:成都中小企业融资担保有限责任公司 发明名称:一种具有密勒钳位功能的功率MOSFET 申请日:20210408 授权公告日:20210709

    专利权质押合同登记的生效、变更及注销

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