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基于相变材料晶化前后透过率差的超分辨光学成像方法

摘要

一种基于相变材料晶化前后透过率变化的超分辨光学成像方法,利用Ge2Sb2Te5薄膜材料的可擦重写和相变特性,使可逆变换的同时,在光斑聚焦处形成中心透过率高,边缘透过率低的状态,通过状态形成前后光斑的差分,获得一个重复可逆并且小于衍射极限的扫描光斑信号,进而可以实现超分辨远场光学成像。

著录项

  • 公开/公告号CN109142283B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-07-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201810943345.9

  • 发明设计人 丁晨良;魏劲松;王正伟;

    申请日2018-08-17

  • 分类号G01N21/59(20060101);

  • 代理机构31317 上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人张宁展

  • 地址 201800 上海市嘉定区清河路390号

  • 入库时间 2022-08-23 12:05:21

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