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公开/公告号CN110095022B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-06-25
原文格式PDF
申请/专利权人 中北大学;
申请/专利号CN201910415174.7
发明设计人 张志东;张彦军;张斌珍;薛晨阳;年夫顺;
申请日2019-05-17
分类号F41H3/00(20060101);
代理机构50231 重庆萃智邦成专利代理事务所(普通合伙);
代理人竺栋
地址 030051 山西省太原市尖草坪区学院路3号
入库时间 2022-08-23 12:01:30
机译: 在半导体子结构上制造双极晶体管,或双极场效应晶体管或具有互补场效应晶体管的双极场效应晶体管的方法以及由该方法产生的器件
机译: 一种具有鳍片结构的化合物半导体场效应晶体管的生产方法和具有鳍片结构的化合物半导体场效应晶体管。
机译: 一种用于场效应晶体管,相关的场效应晶体管,相关的逆变器以及相关的逆变器结构的亚光刻栅极结构的制备方法
机译:一种新型的基于多层三明治织物的复合材料,可实现红外隐身和超隔热保护
机译:H键在[1]苯并噻吩并[3,2-b] [1]苯并噻吩(BTBT)结构的固态组织中的作用:双(羟基-己基)-BTBT,是一种功能衍生物,可提供有效的空气稳定有机物场效应晶体管(OFET)
机译:薄型雷达-红外隐身兼容结构:设计,制造和表征
机译:纳米级SOI MOSFET采用双步埋设氧化物:一种用于抑制自热效应的新型结构
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:用于红外隐身应用的高拉伸微/纳米皱纹结构
机译:确定还原电子转移化学的结构效应\ ud 2.5-双取代呋喃的研究—循环伏安法和UV / VIS / NIR-光谱电化学研究一种和“两种电子”的转移行为
机译:所选智能像素的回顾:自电光效应器件,surfaceEmitting激光逻辑器件,双异质结构光电开关,二极管激光逻辑,淬火激光光学门