互补金属氧化物半导体图像感测器及光二极管与形成方法

摘要

本发明公开一种互补金属氧化物半导体(CMOS)图像感测器及其光二极管(PD)与形成方法，该互补金属氧化物半导体图像感测器的光二极管包含具第二型的顶部光二极管，设于第一型层内；及具第二型的底部光二极管，设于第一型层内且位于顶部光二极管之下。底部光二极管包含至少一个具第二型的次光二极管(sub‑PD)连接至顶部光二极管，且包含至少一个具第一型的次阱区被次光二极管围绕。