一种氮掺杂二氧化钛阵列忆阻器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种氮掺杂二氧化钛阵列忆阻器及其制备方法，属于忆阻器制备技术领域，该忆阻器包括基底FTO、介质层和金属上电极，所述介质层为氮掺杂金红石晶型二氧化钛阵列，其中，N与Ti的原子数量比为0.5％～15％。本发明采用盐酸溶液水热工艺，以钛酸四丁酯为钛源，加入氮源，采用FTO玻璃为基底，通过调节水热温度，保温时间，溶液酸度和钛浓度改变纳米棒直径和长度，通过氮掺杂提供更多空穴缺陷，制备得到的掺氮二氧化钛具有较高的电子和离子迁移效率，提高器件开关速度和器件记忆时间。本发明制备方法简单，成本低，产品形貌质量高，纳米棒尺寸容易控制，氮掺杂量可以调节，有利于规模化生产。