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公开/公告号CN108140633B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-06-15
原文格式PDF
申请/专利权人 高通股份有限公司;
申请/专利号CN201680055199.5
发明设计人 Z·金;T·杨;T-P·洪;M·法拉基安;
申请日2016-09-12
分类号H01L23/522(20060101);
代理机构31100 上海专利商标事务所有限公司;
代理人亓云;陈炜
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2022-08-23 11:58:31
机译: 磁耦合降低的金属氧化物金属(MOM)电容器与相邻电路和高串联谐振频率
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机译:宽带隙高k Y2 O3作为钝化中间层,用于增强具有高k HfTiO栅极电介质的n-Ge金属氧化物半导体电容器的电性能和高场可靠性
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