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具有与周边电路的降低的磁耦合和高串联谐振频率的金属-氧化物-金属(mom)电容器

摘要

金属‑氧化物‑金属(MOM)型电容器包括配置成接收第一电压的第一端子,第一端子形成在第一介电层上;形成在第一介电层上的第一指状物集合,第一指状物集合经由在第二介电层上形成的导电迹线电耦合至第一端子;配置成接收第二电压的第二端子,第二端子形成在第一介电层上;以及形成在第一介电层上的第二指状物集合,第二指状物集合耦合至第二端子,其中第二指状物集合与第一指状物集合穿插。

著录项

  • 公开/公告号CN108140633B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-06-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 高通股份有限公司;

    申请/专利号CN201680055199.5

  • 发明设计人 Z·金;T·杨;T-P·洪;M·法拉基安;

    申请日2016-09-12

  • 分类号H01L23/522(20060101);

  • 代理机构31100 上海专利商标事务所有限公司;

  • 代理人亓云;陈炜

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2022-08-23 11:58:31

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