首页> 中国专利> 一种高分子量聚碳硅烷桥联合成的多温区控制方法

一种高分子量聚碳硅烷桥联合成的多温区控制方法

摘要

本发明公开一种高分子量聚碳硅烷桥联合成的多温区控制方法,该方法包括合成装置预处理、装药、设置温区、一次桥联、多次桥联和获取高分子量聚碳硅烷等六步。与现有高分子量聚碳硅烷制备方法相比,本发明提供的高分子量聚碳硅烷的桥联合成方法工艺流程简单,不需要使用高压釜,不需要使用催化剂;同时,本发明提供的多温区控制方法还能够直接脱除低分子,直接桥联获得高分子量聚碳硅烷,提高了生产效率,且获得的高分子量聚碳硅烷的软化点为250~280℃,重均分子量为2500~3500,PDI为2.0~4.0,在氮气中加热到1000℃的陶瓷产率为60~70%,可用作制备高性能碳化硅纤维的原材料。

著录项

  • 公开/公告号CN109867794B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-06-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国人民解放军国防科技大学;

    申请/专利号CN201910221928.5

  • 发明设计人 邵长伟;王军;王浩;王兵;

    申请日2019-03-22

  • 分类号C08G77/60(20060101);

  • 代理机构43225 长沙国科天河知识产权代理有限公司;

  • 代理人邱轶;朱桂花

  • 地址 410073 湖南省长沙市开福区德雅路109号

  • 入库时间 2022-08-23 11:56:52

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号