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采用氢破工艺制备氧化亚硅负极材料的方法及锂离子电池

摘要

本发明涉及锂离子电池技术领域,具体地说是一种采用氢破工艺制备氧化亚硅负极材料的方法及锂离子电池,其特征在于,包括如下处理步骤:无定形氧化亚硅在惰性气氛保护下进行热处理使无定形硅产生部分晶化;氢破;气流破碎;包覆改性;炭化。本发明同现有技术相比,适用于高容量锂离子电池负极材料制备,工艺过程具有生产效率高、成本低、便于进行工业化生产等优点;所得氧化亚硅材料具有氧含量低、晶粒均匀、粒径分布窄、高度各向异性、导电性好;制备的硅碳负极材料比容量高达1500mAh/g,首次效率达82%。

著录项

  • 公开/公告号CN109524628B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-06-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海杉杉科技有限公司;

    申请/专利号CN201710840088.1

  • 发明设计人 马飞;沈龙;吴志红;丁晓阳;

    申请日2017-09-18

  • 分类号H01M4/36(20060101);H01M4/48(20100101);H01M4/62(20060101);H01M10/0525(20100101);

  • 代理机构31283 上海弼兴律师事务所;

  • 代理人王卫彬

  • 地址 201209 上海市浦东新区曹路镇金海路3158号2幢

  • 入库时间 2022-08-23 11:54:27

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