公开/公告号CN100453991C
专利类型发明授权
公开/公告日2009-01-21
原文格式PDF
申请/专利权人 哈尔滨理工大学;
申请/专利号CN200510009729.6
申请日2005-02-07
分类号G01L9/00(20060101);G01K7/00(20060101);G01D5/12(20060101);G01D21/02(20060101);E21B47/06(20060101);
代理机构23118 哈尔滨东方专利事务所;
代理人陈晓光
地址 150040 黑龙江省哈尔滨市动力区三大动力路23号
入库时间 2022-08-23 09:01:37
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2011-04-20
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G01L 9/00 授权公告日:20090121 终止日期:20100207 申请日:20050207
专利权的终止
2009-01-21
授权
授权
2008-04-09
实质审查的生效
实质审查的生效
2005-08-10
公开
公开
机译: 处理半导电基质上的表皮生长的半导电层的方法,包含处理过的半导电层的半导电基体和由常用类型的半导电基体制成的半导电成分
机译: 处理半导电基质上的表皮生长的半导电层的方法,包含处理过的半导电层的半导电基体和由常用类型的半导电基体制成的半导电成分
机译: 改善半导电导体过程中高分子材料表面导电性的方法