首页> 中国专利> 一种N掺杂CdPS3二维纳米片光催化剂的制备方法

一种N掺杂CdPS3二维纳米片光催化剂的制备方法

摘要

本发明公开了一种N掺杂CdPS3二维纳米片光催化剂的制备方法,包括以下步骤:通过氮元素取代CdPS3晶胞中的宿主磷原子,得N掺杂CdPS3二维纳米片光催化剂,该N掺杂CdPS3二维纳米片光催化剂的光吸收带边从紫外区拓展至可见光区,该方法制备得到的N掺杂CdPS3二维纳米片光催化剂具有优异的稳定性及产氢性能,且制备方法简单,重复性高。

著录项

  • 公开/公告号CN111203255B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-05-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安交通大学;

    申请/专利号CN202010048297.4

  • 发明设计人 杨贵东;李贺;

    申请日2020-01-16

  • 分类号B01J27/24(20060101);C01B3/04(20060101);

  • 代理机构61200 西安通大专利代理有限责任公司;

  • 代理人房鑫

  • 地址 710049 陕西省西安市咸宁西路28号

  • 入库时间 2022-08-23 11:51:21

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号