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基于硅衬底无牺牲层的非制冷红外焦平面阵列的制作方法

摘要

一种基于硅衬底无牺牲层的非制冷红外焦平面阵列,其与反光板连接的悬臂梁固支在利用各向同性腐蚀出的近似契型硅柱上,其阵列中单元结构分为独立式和嵌套式。该非制冷红外焦平面阵列器件的工艺步骤如下:1、在<100>硅基片上淀积氮化硅薄膜;2、在正面氮化硅薄膜表面光刻,表面淀积铬薄膜,剥离;3、刻蚀氮化硅薄膜,去铬,清洗处理表面;4、在图形表面光刻,表面淀积金薄膜,剥离,在支撑悬臂梁上形成厚的间隔镀金;5、继续在图形表面光刻,表面淀积金薄膜,剥离,在反光板上形成薄的镀金;6、正面腐蚀硅衬底,形成近似契型硅柱来支撑悬臂梁,同时释放悬臂梁和反光板薄膜形成非制冷红外焦平面阵列。

著录项

  • 公开/公告号CN100452350C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2009-01-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院微电子研究所;

    申请/专利号CN200610066888.4

  • 申请日2006-03-31

  • 分类号H01L21/822(20060101);H01L27/14(20060101);B81C1/00(20060101);B81B7/02(20060101);

  • 代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人周国城

  • 地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号

  • 入库时间 2022-08-23 09:01:37

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-05-17

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/822 授权公告日:20090114 终止日期:20160331 申请日:20060331

    专利权的终止

  • 2009-09-02

    专利申请权、专利权的转移(专利权的转移) 变更前: 变更后: 登记生效日:20090724 申请日:20060331

    专利申请权、专利权的转移(专利权的转移)

  • 2009-01-14

    授权

    授权

  • 2007-11-28

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2007-10-03

    公开

    公开

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