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金属阳离子插层结构的锰氧化物电极材料及其制备方法和应用

摘要

本发明公开了一种金属阳离子插层结构的锰氧化物电极材料,该材料是在原有的锰氧化物的层间插入金属阳离子,同时在表面生长出金属纳米薄片,阳离子的嵌入增大了层间距更便利于充放电过程中的电解液中的离子的嵌入和脱出,比表面积的增大为电解液中的离子提供了更大接触位点。本发明所述的电极材料制备方法如下:①使用0.1~10mol/L金属盐溶液置于三电极电解槽中,以Ag/AgCl电极为参比电极,铂片作为对电极,将锰的氧化物放入三电极电解槽形成三电极系统;②使用5~500mV/s的扫描速率对锰的氧化物材料进行电化学嵌金属阳离子,段数可取200~2000段;③将上述黑褐色产物反复清洗,真空干燥即可。

著录项

  • 公开/公告号CN110729462B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-05-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 湖北大学;

    申请/专利号CN201911005862.2

  • 申请日2019-10-22

  • 分类号H01M4/36(20060101);H01M4/505(20100101);H01G11/30(20130101);H01G11/46(20130101);

  • 代理机构11401 北京金智普华知识产权代理有限公司;

  • 代理人杨采良

  • 地址 430062 湖北省武汉市武昌区友谊大道368号

  • 入库时间 2022-08-23 11:50:09

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