一种全四族硅基C波段半导体激光器

摘要

一种全四族硅基C波段半导体激光器，包括有硅衬底，所述硅衬底上并排设置有构成外接负电源引入端口的侧边负电极和N型掺杂硅体材料区，所述N型掺杂硅体材料区上设置有三层Ge/Si量子阱，所述三层Ge/Si量子阱上设置有脊型波导结构，所述脊型波导结构上面设置有相连接的构成外接正电源引入端口的上边正电极。本发明的一种全四族硅基C波段半导体激光器，解决了目前在硅基光电子集成领域光源与硅基CMOS工艺不兼容的问题。由全四族元素构成的半导体激光器光源能够实现在硅片上直接生长光源，免去了传统键合光源步骤，可以降低光电子集成的制作难度和成本。本发明的全四族硅基C波段半导体激光器能在室温下进行工作。