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公开/公告号CN110323671B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-05-11
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;
申请/专利号CN201910322368.2
发明设计人 郑婉华;陈忠浩;周旭彦;渠红伟;齐爱谊;
申请日2019-04-19
分类号H01S5/32(20060101);H01S5/343(20060101);
代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;
代理人任岩
地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号
入库时间 2022-08-23 11:46:29
机译: 一种基于晶体开关光子的带隙效应的半导体激光器,其较高模式的激光辐射及其制造方法
机译: 利用光子晶体结构来增强磁光克尔效应的方法,以及具有增强的磁光克尔效应的光子晶体,一种制造光子晶体的方法
机译: 基于压电材料的薄膜和光子晶体结构的基于光子晶体的光学传感器及其制造方法
机译:光子晶格半导体激光器具有可控制的横向共振的大功率单模运行
机译:基于单模 - 光子晶体 - 多模光纤结构的双参数法布里 - 珀罗干涉仪传感器
机译:叔丁基a基的金属有机气相外延技术制备光子晶体激光器的光子晶体结构
机译:具有二维光子晶体的边缘发射半导体激光器的单模操作
机译:基于磷化铟的复合通道高电子迁移率晶体管结构的固体源分子束外延,用于微波和毫米波功率应用。
机译:更正:一种新的细胞选择性三维微型培育基于硅光子晶体
机译:基于alGaas / Gaas外延结构的2D光子晶体热光开关
机译:基于VCsEL-光子晶体结构的波长尺度微激光器。