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一种基于光子晶体控制的单模半导体激光器外延结构

摘要

一种基于光子晶体控制的单模半导体激光器外延结构,包括:N型衬底层,用于生长外延材料;N型限制层,配置于N型衬底层之上,用于限制光场向N型区的扩展;光子晶体,配置于N型限制层之上,用于调控输出光场模式;有源区,配置于光子晶体上;P型限制层,配置于有源区之上,用于限制光场向P型区的扩展;P型盖层,配置于P型限制层之上,用于限制光场及降低载流子势垒;P型接触层,配置于P型盖层之上,用于与金属形成欧姆接触。

著录项

  • 公开/公告号CN110323671B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-05-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;

    申请/专利号CN201910322368.2

  • 申请日2019-04-19

  • 分类号H01S5/32(20060101);H01S5/343(20060101);

  • 代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人任岩

  • 地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号

  • 入库时间 2022-08-23 11:46:29

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