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低温多晶硅平板探测器像素电路及平板探测方法

摘要

本发明提供一种低温多晶硅平板探测器像素电路及平板探测方法,包括:依次串联于复位信号与光敏二极管的阴极之间的第一重置开关、传输门,光敏二极管的阳极连接偏置电压;依次串联于电源信号输出端之间的第二重置开关、源极跟随器及选择开关;连接于源极跟随器源极和栅极之间的补偿开关;以及连接于第一重置开关漏极和源极跟随器栅极之间的存储电容;第一重置开关与第一重置开关的控制端连接第一控制信号,传输门与补偿开关的控制端连接第二控制信号;选择开关的控制端连接第三控制信号。本发明对电路中源极跟随器的阈值电压漂移进行内部补偿,减少第一重置开关的关态漏电流,可实现高帧率、高灵敏度、低剂量的动态平板探测。

著录项

  • 公开/公告号CN110956923B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-05-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海奕瑞光电子科技股份有限公司;

    申请/专利号CN201911348859.0

  • 发明设计人 解海艇;金利波;朱翀煜;

    申请日2019-12-24

  • 分类号G09G3/32(20160101);G01T1/24(20060101);G01T1/161(20060101);

  • 代理机构31219 上海光华专利事务所(普通合伙);

  • 代理人施婷婷

  • 地址 201201 上海市浦东新区瑞庆路590号9幢2层202室

  • 入库时间 2022-08-23 11:45:06

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