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公开/公告号CN108389956B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-05-04
原文格式PDF
申请/专利权人 哈尔滨工业大学深圳研究生院;
申请/专利号CN201810194956.8
发明设计人 张倩;李孝芳;陈辰;曹峰;刘兴军;
申请日2018-03-09
分类号H01L35/34(20060101);H01L35/16(20060101);
代理机构44451 深圳市添源知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人黎健任
地址 518000 广东省深圳市南山区桃源街道深圳大学城哈工大校区
入库时间 2022-08-23 11:44:35
机译: 五元Mg2Si基n型热电材料,其制备方法和使用这种材料的热电器件
机译: 掺杂铜和掺铜的Bi-Te基N型热电偶粉掺制Bi-Te基N型热电偶的方法
机译: 具有溅射沉积的N型和P型热电腿的柔性薄膜基热电装置的柔性封装
机译:n型双掺杂的SNSE热电纳米材料通过轻巧溶液方法合成
机译:具有高热电性能的n型SnSe_2定向纳米板基粒料
机译:低温反应制备Mg2SI基热电纳米材料
机译:一种新的锡烷和一种新的基于自由基的杂环制备方法。
机译:掺有纳米富勒烯的Cu2SnSe3基复合材料的增强的热电性能
机译:溶液合成的SnSe热电纳米材料中的含氯电子掺杂
机译:高性能p型热电材料及其制备方法