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半导体量子点/石墨烯范德瓦尔斯结柔性器件的构筑方法

摘要

本发明涉及一种表面光伏性能良好的半导体量子点/石墨烯范德瓦尔斯结薄膜柔性器件的构筑方法,通过柔性衬底机械剥离化学气相沉积法制备的单层石墨烯的方法,并在石墨烯上修饰半导体量子点,控制器件退火温度和时间,优化半导体量子点与石墨烯之间的范德瓦尔斯接触,成功构筑了表面光伏响应性能理想的半导体量子点/石墨烯范德瓦尔斯结薄膜柔性表面光伏器件,可用于相对位置探测或光电探测。

著录项

  • 公开/公告号CN110148643B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-05-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201910493441.2

  • 发明设计人 何丹农;蔡葆昉;卢静;

    申请日2019-06-06

  • 分类号H01L31/0336(20060101);H01L31/0352(20060101);H01L31/0392(20060101);H01L31/18(20060101);

  • 代理机构31208 上海东亚专利商标代理有限公司;

  • 代理人董梅

  • 地址 201109 上海市闵行区剑川路468号

  • 入库时间 2022-08-23 11:44:07

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