一种斜生栅藻高密度培养方法

摘要

本发明公开了一种斜生栅藻培养基，包括以下质量浓度的各组分：KNO₃200‑300mg/L；KH₂PO₄ 3.5‑7.0mg/L；FeCl₃ 1.0‑1.5mg/L；NaHCO₃ 0.12‑0.17g/L；Na₂EDTA 10mg/L；MnSO₄ 0.25mg/L。最适宜的光照强度70～100μmol/(m²·s)，适宜温度为25℃。本发明的培养基和培养方法，在培养斜生栅藻时具有生长速率快、细胞密度大和稳定性好等优点。