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公开/公告号CN108986870B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-04-27
原文格式PDF
申请/专利权人 沈阳工业大学;
申请/专利号CN201810543240.4
发明设计人 刘斌;张贺;何璐瑶;于小芮;刘子淇;任建;
申请日2018-05-31
分类号G11C29/56(20060101);G11C11/16(20060101);
代理机构21115 沈阳智龙专利事务所(普通合伙);
代理人宋铁军
地址 110870 辽宁省沈阳市沈阳经济技术开发区沈辽西路111号
入库时间 2022-08-23 11:42:13
机译: 一种识别和控制磁记忆合金感应电压的方法以及一种包含磁记忆合金的执行器和传感器
机译: 用于防止周围环境中的磁通量的装置,该周围环境可以通过磁通量作用而改变,特别是具有可记录磁信息的介质的物体
机译: 改变TH磁记忆磁头暴露机理的设施。
机译:一种新的磁形记忆材料,可以通过磁场 - 元磁形状记忆合金获得大的位移和应力
机译:一种新型致动器系统,使用形状记忆合金线圈组合机械振动和磁轮的磁轮
机译:脆弱的半干旱景观(西班牙东北部巴德纳斯·雷亚雷斯自然公园)对全新世早期气候变化的环境响应:一种古磁和环境磁方法。 (特刊:脆弱的景观系统的长期退化。)
机译:金属磁记忆测试的漏磁模型及实验装置的研究
机译:一种数据驱动的磁环境中等离子体传输的理解
机译:在高磁引力环境中半通道的阻滞改变了骨细胞中的基因表达
机译:一种模型来描述磁形记忆合金中马氏体的磁机械行为
机译:一种用于调查和检查薄膜矩阵的磁记忆元件的装置,