谐振腔发光二极管及其制造方法

摘要

本发明公开了一种谐振腔发光二极管及其制造方法，属于半导体技术领域。所述谐振腔发光二极管包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的N型层、有源层、P型层、透明导电层、钝化层，所述P型层和所述透明导电层上均设有P型电极，所述N型层上设有N型电极，所述衬底的远离所述N型层的一面设有下反射镜层，所述钝化层上设有上反射镜层。此时可以通过提高Al在GaN中的掺杂浓度即可达到下反射镜高反射率的要求。由于下反射镜层设置在衬底的远离N型层的一面上，因此提高Al的浓度不会影响RCLED的外延质量。