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双倍数据速率同步动态随机存取存储器数据选通信号校准

摘要

在设备中对在SDRAM数据选通(“DQS”)信号和数据(“DQ”)信号之间的相位偏移进行校准时,对数据信号驱动器电路阻抗进行调整以在执行系统级存储器测试时削弱DQ信号通道上的阻抗匹配。在存储器测试期间,相位偏移会逐步通过范围,并针对每个测试确定错误计数。存储器测试可以仿真设备的任务模式操作。在存储器测试之后,确定与最低错误计数相对应的最佳相位偏移。在设备的后续任务模式操作中,DQS信号可以关于DQ信号延迟与最佳相位偏移相对应的值。

著录项

  • 公开/公告号CN110800060B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-04-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 高通股份有限公司;

    申请/专利号CN201880043096.6

  • 发明设计人 L·N·加米尼;S·慕克吉;

    申请日2018-04-24

  • 分类号G11C29/02(20060101);G11C7/10(20060101);G11C29/12(20060101);G11C29/42(20060101);

  • 代理机构72002 永新专利商标代理有限公司;

  • 代理人张海燕

  • 地址 美国加利福尼亚

  • 入库时间 2022-08-23 11:40:32

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