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基于均匀直线阵列零陷加深的自适应波束形成方法

摘要

本发明提出了一种基于均匀直线阵列零陷加深的自适应波束形成方法,主要解决现有技术中由于干扰功率起伏,天线方向图零陷的深度不能完全抑制干扰的问题。其实现步骤为:1.获取均匀天线阵列的相关参数,来波信号的相关参数;2.利用天线阵列接收数据,计算天线阵列接收数据的自相关矩阵;3.利用天线阵列的相关参数计算期望信号的方向矢量及导向矢量矩阵;4.利用矩阵奇异值分解,对自相关矩阵进行分解,构造新的干扰子空间;5.利用新的干扰子空间矩阵和期望信号的方向矢量,计算零陷加深后的自适应波束形成最优权系数。本发明加深了干扰信号的零陷,提升了抗干扰性能,可用于信号处理系统。

著录项

  • 公开/公告号CN108631851B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-04-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安电子科技大学;

    申请/专利号CN201711024309.4

  • 发明设计人 相征;张钰炜;任鹏;任怡;

    申请日2017-10-27

  • 分类号H04B7/08(20060101);H04B7/0456(20170101);

  • 代理机构61205 陕西电子工业专利中心;

  • 代理人王品华

  • 地址 710071 陕西省西安市雁塔区太白南路2号

  • 入库时间 2022-08-23 11:40:09

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