首页> 中国专利> 制造发光二极管器件的方法及制造的发光二极管器件

制造发光二极管器件的方法及制造的发光二极管器件

页面导航

摘要
著录项
相似文献

摘要

本发明提供了一种包括发光二极管芯片的发光二极管器件。用于制造发光二极管器件的方法包括：将第一模板定位在载体上；通过第一模板的至少一个孔将磷光体材料印刷到载体上，以在载体上形成磷光体材料片；以及将发光二极管芯片附着到印制的磷光体材料片上。

著录项

公开/公告号CN108417674B

专利类型发明专利
公开/公告日2021-04-16

原文格式PDF
申请/专利权人先进科技新加坡有限公司;
展开▼

申请/专利号CN201810125735.5
发明设计人麦家仪;黄浩然;卢浩贤;
展开▼

申请日2018-02-08
分类号H01L33/00(20100101);H01L33/38(20100101);H01L33/60(20100101);
代理机构11214 北京申翔知识产权代理有限公司;
代理人艾晶
地址新加坡2义顺7道
入库时间 2022-08-23 11:39:39

相似文献

专利
中文文献
外文文献

1. 制造发光二极管器件的方法及制造的发光二极管器件 [P] . 中国专利： CN108417674B . 2021.04.16
2. 有机发光二极管器件和制造该有机发光二极管器件的方法 [P] . 中国专利： CN100573900C . 2009.12.23
3. Fabrication of flip-chip light emitting diode device by fabricating light emitting diode devices on epitaxial wafer, dicing the epitaxial wafer, flip chip bonding the device die to mount, and reducing thickness of growth substrate [P] . 德国专利： DE102004036295A1 . 2005-03-03

机译：通过在外延晶片上制造发光二极管器件，切割外延晶片，将器件管芯倒装芯片键合以安装并减小生长衬底的厚度来制造倒装芯片发光二极管器件
4. Gallium nitride based semiconductor light emitting device, method for fabricating gallium nitride based semiconductor light emitting device, gallium nitride based light emitting diode, epitaxial wafer, and method for fabricating gallium nitride based light emitting diode [P] . 日本专利： JP5077303B2 . 2012-11-21

机译：氮化镓基半导体发光器件，制造氮化镓基半导体发光器件的方法，氮化镓基发光二极管，外延晶片以及制造氮化镓基发光二极管的方法
5. METHOD FOR MANUFACTURING AN ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE-BASED LIGHT ILLUMINATING DEVICE FOR AN ILLUMINATING LAMP AND THE ILLUMINATING DEVICE BASED ON THE METHOD CAPABLE OF REDUCING COST REQUIRED FOR INSTALLING AND MANUFACTURING PROCESSES [P] . 韩国专利： KR20110063156A . 2011-06-10

机译：基于发光二极管的有机发光二极管发光器件的制造方法及基于可降低安装和制造过程所需成本的方法的发光器件