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硒吩衍生物及其制备方法和在作为有机半导体材料方面的应用

摘要

本发明涉及一种硒吩衍生物,其结构式如下所示:。该硒吩衍生物的制备是通过硒吩并[3,2‑b]硒吩的醛基化及随后的Wittig反应合成而得。本发明经试验发现:该硒吩衍生物是一种新型有机半导体材料,其用作有机半导体材料有较好的空穴迁移率。

著录项

  • 公开/公告号CN109912630B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-04-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 河南大学;

    申请/专利号CN201910169955.2

  • 申请日2019-03-07

  • 分类号C07D517/04(20060101);H01L51/30(20060101);

  • 代理机构41104 郑州联科专利事务所(普通合伙);

  • 代理人时立新;杨海霞

  • 地址 475001 河南省开封市明伦街85号

  • 入库时间 2022-08-23 11:39:03

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