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磁饱和状态反馈式磁通门传感器

摘要

本发明涉及一种磁饱和状态反馈式磁通门传感器,包括信号地线分别连接激励线圈、感应线圈和反馈线圈,晶振经带通滤波电路、功率放大电路与激励线圈连接,感应线圈经前置放大电路与磁饱和状态检测电路连接构成磁芯磁饱和状态检出电路,反馈微调电阻经反馈精密电阻与反馈线圈连接构成磁饱和状态反馈电路。与谐波型磁通门传感器相比,无需要求苛刻的对称结构,大大降低制造成本;利用比较电路直接检测磁芯饱和状态,无需对谐波信号进行检测,大大简化了电路结构;与时间差型磁通门相比,噪声仅为时间差型磁通门传感器的1/20。具有噪声低、体积小、结构简单和成本低的优点,更适合于实际的工程使用,在传感器组网检测等领域具有广泛的应用前景。

著录项

  • 公开/公告号CN108983124B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-04-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 吉林大学;

    申请/专利号CN201811118866.7

  • 发明设计人 王言章;李京杰;石佳晴;

    申请日2018-09-25

  • 分类号G01R33/04(20060101);

  • 代理机构22201 长春吉大专利代理有限责任公司;

  • 代理人王立文

  • 地址 130012 吉林省长春市前进大街2699号

  • 入库时间 2022-08-23 11:38:36

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