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一种LNOI基光波导反向楔形模斑耦合器及制备方法

摘要

本发明公开了一种LNOI基光波导反向楔形模斑耦合器及制备方法,LNOI结构顶部的LN层作为第一波导芯层,第一波导芯层为反向楔形结构;第一波导芯层上覆盖有具有固定宽度的第二波导芯层,第二波导芯层的折射率小于第一波导芯层的折射率。本发明利用波导结构光传输芯层在高度和宽度的变化,实现在垂直和水平方向上对入射光的扩展或者压缩,达到亚微米尺寸光波导器件与光芯片或者单模光纤的高效耦合的目的;本发明可以实现LNOI基光波导与光芯片或单模光纤的直接端面耦合,提高二者的模斑匹配度,有利于大规模光路的集成。

著录项

  • 公开/公告号CN110632702B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-04-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京工业大学;

    申请/专利号CN201911011725.X

  • 发明设计人 王智勇;李颖;兰天;

    申请日2019-10-23

  • 分类号G02B6/122(20060101);G02B6/12(20060101);G02B6/136(20060101);G02B6/132(20060101);G02B6/26(20060101);

  • 代理机构11335 北京汇信合知识产权代理有限公司;

  • 代理人王秀丽

  • 地址 100124 北京市朝阳区平乐园100号

  • 入库时间 2022-08-23 11:38:26

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