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丘克拉斯基提拉器

摘要

提供了一种用于生长单晶硅锭的丘克拉斯基提拉器,包括:腔封套;在该腔封套中装盛熔融硅的坩埚;在该腔封套中的籽晶夹具,它靠近坩埚用于夹持籽晶;在该腔封套中的加热器,它环绕坩埚;在该腔封套中的环形隔热罩,包括相互隔离的内和外隔热罩壁;连接内和外隔热罩壁的隔热罩顶和隔热罩底;隔热罩顶由内隔热罩壁朝外隔热罩壁向上倾斜,而隔热罩底从内隔热罩壁朝外隔热罩壁向下倾斜;以及将该隔热罩支撑在坩埚内的支撑元件。利用该丘克拉斯基提拉器制造出具有受控缺陷分布的硅晶片,其中具有离晶片表面向内足够深度的贫化区与晶片主体区内的高捕获效应相结合。在硅晶片中,充当本征捕获位的氧淀析物表现出垂直分布。

著录项

  • 公开/公告号CN100430531C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2008-11-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 三星电子株式会社;

    申请/专利号CN200510120226.6

  • 发明设计人 朴在勤;

    申请日2001-05-25

  • 分类号C30B15/00(20060101);

  • 代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人陶凤波;侯宇

  • 地址 韩国京畿道

  • 入库时间 2022-08-23 09:01:21

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2008-11-05

    授权

    授权

  • 2006-08-02

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-06-07

    公开

    公开

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