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公开/公告号CN110120653B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-03-23
原文格式PDF
申请/专利权人 天津大学;
申请/专利号CN201910359682.8
发明设计人 薛士敏;孙亚冰;陆俊弛;刘白冰;
申请日2019-04-30
分类号H02H3/28(20060101);H02H7/26(20060101);
代理机构12201 天津市北洋有限责任专利代理事务所;
代理人程毓英
地址 300072 天津市南开区卫津路92号
入库时间 2022-08-23 11:36:25
机译: 外部联箱型双极元件,外部联箱型双极电解池以及制氢方法
机译: 具有改善操作性能的多发射极型双极结型晶体管,一种双极CMOS DMOS器件,一种制造多发射极型双极结型晶体管的方法以及一种制造双极CMOS DMOS的方法
机译: 分离包含N,N-二邻二联双氨基芳香醇和N,N,N'-三邻二联双氨基芳香醇和N,N,N',N'-四albisbisaminoalquiléter中的至少一种的N,N-二重双对氨基芳香醇混合物的方法
机译:从直流线路故障中恢复高压直流输电系统:一种新的保护方法
机译:双极MMC-HVDC系统中直流线路的单端故障定位方法
机译:不对称的1,3-偶极环加成与P-立体生成的双极亲和性:一种新颖的P-立体生成的1,2-二膦系统的有效方法。
机译:关于直流线路损耗和极点或双极阻塞的考虑
机译:一种非对称凸极永磁同步电机,适用于恒定功率范围广泛的应用。
机译:非对称双极纳秒电脉冲宽度可修改双极抵消
机译:四极左心室导联的使用增加了膈神经刺激和/或高起搏阈值患者的成功植入率,这些患者正在接受常规双极导联的心脏再同步治疗
机译:行波模式下毫米波Gaas双漂移ImpaTT二极管的场分析