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一种大功率射频芯片的竖立放置液冷散热结构及其制作方法

摘要

本发明公开了一种大功率射频芯片的竖立放置液冷散热结构及其制作方法,包括散热结构、底座结构,底座结构上设置安置散热结构的安置槽和散热通道,散热通道均匀分布设置在安置槽一侧,安置槽和散热通道联通;散热结构包括第一圆柱形TSV孔、凹槽,第一圆柱形TSV孔与凹槽联通;第一圆柱形TSV孔与散热通道联通;本发明提供能够大大加强散热器跟射频模组互联的稳定性的一种大功率射频芯片的竖立放置液冷散热结构及其制作方法。

著录项

  • 公开/公告号CN110010573B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-03-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 浙江集迈科微电子有限公司;

    申请/专利号CN201811634005.4

  • 发明设计人 冯光建;

    申请日2018-12-29

  • 分类号H01L23/473(20060101);H01L21/48(20060101);

  • 代理机构33283 杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人董世博

  • 地址 313100 浙江省湖州市长兴县经济技术开发区陈王路与太湖路交叉口长兴国家大学科技园二分部北园8号厂房

  • 入库时间 2022-08-23 11:35:54

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