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一种AlGaN单极载流子日盲紫外探测器及其制备方法

摘要

本发明提供的AlGaN单极载流子日盲紫外探测器,基于AlGaN极化效应,利用p‑AlzGa1‑zN/i‑AlyGa1‑yN‑AlxGa1‑xN(0.45=zGa1‑zN/i‑AlyGa1‑yN异质结的价带带阶有效限制空穴进入吸收区与电子复合,提高载流子寿命;与此同时,在器件制备时设计结构,令光生空穴难以参与到光电导中,实现电子单极导电,从而获得高响应速度和高增益电流。

著录项

  • 公开/公告号CN112038448B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-03-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN202010854740.7

  • 申请日2020-08-24

  • 分类号H01L31/18(20060101);H01L31/105(20060101);H01L31/0304(20060101);

  • 代理机构44316 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人曹卫良

  • 地址 130033 吉林省长春市经济技术开发区东南湖大路3888号

  • 入库时间 2022-08-23 11:35:45

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