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一种可控合成镧掺杂钴氧化物纳米片及其制备方法和应用

摘要

本发明公开一种可控合成镧掺杂钴氧化物纳米片及其制备方法和应用,属于纳米领域。本发明的镧掺杂钴氧化物纳米片为不规则的单分散型片状结构,镧掺杂钴氧化物纳米片主要元素是La、Co和O,La、Co和O均均匀分布在六边形边上,具有优异的OER性能,优于目前市售的IrO2。本发明采用“水热溶剂法”,利用烘箱程序控温模式得到镧钴氧化物纳米片,工艺简单,反应温度低,产率高,适合于批量生产,对于可再生能源技术发展具有重要的指导意义。

著录项

  • 公开/公告号CN110120527B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-03-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 南京晓庄学院;

    申请/专利号CN201910299941.2

  • 申请日2019-04-15

  • 分类号H01M4/90(20060101);H01M4/88(20060101);B82Y40/00(20110101);

  • 代理机构32285 南京先科专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人孙甫臣

  • 地址 210000 江苏省南京市江宁区弘景大道3601号

  • 入库时间 2022-08-23 11:35:22

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