公开/公告号CN110199057B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-03-16
原文格式PDF
申请/专利权人 信越半导体株式会社;
申请/专利号CN201880007837.5
申请日2018-02-14
分类号G01N21/62(20060101);C30B29/06(20060101);
代理机构11002 北京路浩知识产权代理有限公司;
代理人张晶;谢顺星
地址 日本东京都
入库时间 2022-08-23 11:35:20
机译: 单晶硅中碳浓度的测量方法
机译: 单晶硅中碳浓度的测量方法
机译: 硅样品中碳浓度的评估方法,硅晶片制造工艺的评估方法,硅晶片的制造方法以及硅单晶硅锭的制造过程