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一种Al-Si-Mn-Fe-Ga高熵十次准晶的制备方法

摘要

一种Al‑Si‑Mn‑Fe‑Ga高熵十次准晶的制备方法。本发明采用十次准晶中结构块相似的设计思路,在Al20Si20Mn20Fe20Ga20合金薄带中,制备出一种成分为Al21Si19Mn21Fe26Ga13的高熵十次准晶。该十次准晶含5种元素,且成分接近等原子比,满足高熵合金基于成分的定义。从熵值上看,其构型熵为1.59R,大于高熵合金的熵判据1.5R,满足高熵合金基于熵值定义,所以该十次准晶是高熵十次准晶。本发明的优点在于利用不同十次准晶合金系结构块相似的特点,首次成功制备出多主元高熵十次准晶,填补了高熵合金相结构上的空白。我们还利用原子分辨率高角环状暗场扫描透射电子显微像,在原子级别揭示了该高熵十次准晶的结构特点。为之后的高熵准晶合金的成份设计提供了新的思路。

著录项

  • 公开/公告号CN111004958B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-03-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京科技大学;

    申请/专利号CN202010015158.1

  • 发明设计人 何战兵;赵良群;苗定豪;马海坤;

    申请日2020-01-07

  • 分类号C22C30/00(20060101);C22C1/02(20060101);B22D11/06(20060101);

  • 代理机构11237 北京市广友专利事务所有限责任公司;

  • 代理人张仲波

  • 地址 100083 北京市海淀区学院路30号

  • 入库时间 2022-08-23 11:35:15

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