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一种提高四探针RS测试准确性的方法

摘要

本发明涉及一种提高四探针RS测试准确性的方法,包括:步骤1:检查四探针测量设备的探针状态;步骤2:将需要检测RS的硅片传送到四探针测量设备的载片台上面;步骤3:调节探针在硅片上的扎针深度,确定扎针基准面;步骤4:在硅片上选取一点进行单点RS测试,获取该点的多个扎针深度和每个扎针深度所对应的RS值;步骤5:绘制扎针深度与RS之间的关系曲线;步骤6:根据关系曲线确定最佳扎针深度。本发明可以根据扎针深度与RS值之间的对应关系,能够快速准确的使四探针测量设备对待测硅片进行扎针,并能确保该扎针深度下获得稳定和准确的RS值,真实反应离子注入机等设备的运行状况,提高了离子注入机的利用率和可信度,对产生过程有着重要意义。

著录项

  • 公开/公告号CN111103460B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-03-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 株洲中车时代半导体有限公司;

    申请/专利号CN201811251334.0

  • 申请日2018-10-25

  • 分类号G01R27/02(20060101);G01R31/26(20140101);H01L21/66(20060101);

  • 代理机构11372 北京聿宏知识产权代理有限公司;

  • 代理人吴大建;何娇

  • 地址 412001 湖南省株洲市石峰区田心高科园半导体三线办公大楼三楼309室

  • 入库时间 2022-08-23 11:35:14

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