一种钴酸锶薄膜材料的制备方法

摘要

本发明公开了一种钴酸锶薄膜材料的制备方法，对钴酸锶薄膜材料的磁、电性能进行研究。首先采用球磨法制备钴酸锶粉末样品，然后将该粉末样品干燥并制成块状靶材，最后用脉冲激光沉积法将块状靶材沉积在衬底上并退火，得到钴酸锶薄膜材料。本发明采用球磨法制得的钴酸锶粉末混合比较均匀、粒径均匀度高，球磨法具有操作简单、条件温和、易控制等特点；用脉冲激光沉积法沉积的钴酸锶薄膜，具有质量好、均匀性高和材料组分稳定等特点，同时采用晶格常数相近及同为钙钛矿结构的衬底上制得的钴酸锶薄膜结构更加稳定，而且在钴酸锶薄膜样品观测到其金属‑半导体转变过程。