首页> 中国专利> 用于同时检测Cu2+、Pb2+、Cd2+的阵列式薄膜传感器及其制备方法

用于同时检测Cu2+、Pb2+、Cd2+的阵列式薄膜传感器及其制备方法

摘要

本发明涉及用于同时检测Cu2+、Pb2+、Cd2+的阵列式薄膜传感器及基制备方法,以p型或n型Si片作基底,在基底上依次为SiO2层,对Cu2+、Pb2+、Cd2+敏感的三种薄膜;该薄膜传感器是通过激光脉冲沉积技术在SiO2表面上制备三种敏感薄膜,采用激光沉积技术把三个敏感材料分别制备在SiO2表面上,最后形成三种阵列式薄膜传感器。它对溶液中的Cu2+、Pb2+、Cd2+具有选择性,能检测出Cu2+、Pb2+、Cd2+的含量。本发明可在江河湖泊、生物医学领域(如血液、体液)、工业废水、中药、蔬菜、水果、茶叶等领域中对Cu2+、Pb2+、Cd2+同时进行定性和定量检测。

著录项

  • 公开/公告号CN100434910C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2008-11-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 东北电力大学;

    申请/专利号CN200610017279.X

  • 发明设计人 门洪;王建国;

    申请日2006-10-24

  • 分类号G01N27/406(20060101);H01L49/02(20060101);

  • 代理机构22102 吉林市达利专利事务所;

  • 代理人张瑜声

  • 地址 132012 吉林省吉林市船营区长春路169号

  • 入库时间 2022-08-23 09:01:20

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2012-12-26

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G01N 27/333 授权公告日:20081119 终止日期:20111024 申请日:20061024

    专利权的终止

  • 2008-11-19

    授权

    授权

  • 2007-06-06

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2007-04-11

    公开

    公开

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