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包括二维材料的电子器件以及制造该电子器件的方法

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摘要

电子器件包括具有带隙的二维(2D)材料层。该2D材料层包括两个多层2D材料区域和在其间的沟道区。第一电极电接触其中一个多层2D材料层，第二电极电接触另一个多层2D材料层。

公开/公告号CN106057880B

专利类型发明专利
公开/公告日2021-03-02

原文格式PDF
申请/专利权人三星电子株式会社;成均馆大学校产学协力团;
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申请/专利号CN201510737327.1
发明设计人罗昌皓;刘元钟;F.阿梅德;杨政;刘晓迟;朴晟准;李载昊;
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申请日2015-11-03
分类号H01L29/772(20060101);H01L29/78(20060101);H01L21/335(20060101);H01L21/336(20060101);H01L29/10(20060101);
代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;
代理人翟然
地址韩国京畿道
入库时间 2022-08-23 11:34:07

1. 包括二维材料的电子器件以及制造该电子器件的方法 [P] . 中国专利： CN106057880B . 2021.03.02
2. 包括转换元件的光电子器件和用于制造包括转换元件的光电子器件的方法 [P] . 中国专利： CN105340092B . 2017.10.31
3. Single electron device, a method for producing single-electron device, method of manufacturing a cell array including a cell array and a single-electron device including a single electron device [P] . 日本专利： JP4846316B2 . 2011-12-28

机译：单电子器件，制造单电子器件的方法，制造包括单元阵列的单元阵列的方法以及包括单电子器件的单电子器件
4. Microelectronic device chip including hybrid Au bump, package of the same, LCD apparatus including microelectronic device chip and method of fabricating microelectronic device chip [P] . 美国专利： US7282801B2 . 2007-10-16

机译：包括混合金凸块的微电子器件芯片，其封装，包括微电子器件芯片的LCD装置以及制造微电子器件芯片的方法
5. Microelectronic device chip including hybrid Au bump, package of the same, LCD apparatus including microelectronic device chip and method of fabricating microelectronic device chip [P] . 美国专利： US2006055037A1 . 2006-03-16

机译：包括混合金凸块的微电子器件芯片，其封装，包括微电子器件芯片的LCD装置以及制造微电子器件芯片的方法