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一种提高量子效率的图像传感器像素单元结构和形成方法

摘要

本发明公开了一种提高量子效率的图像传感器像素单元结构,包括设于硅衬底正面的光电二极管和传输管栅极,设于层间介质层中的金属互连层和聚光反射层,聚光反射层设有聚光层和金属反射层,并对应位于光电二极管的下方,聚光层具有阵列状的多个聚光突起,每个聚光突起具有面向光电二极管设置的弧形凸面表面,用于对自硅衬底背面入射的光线进行聚光,金属反射层具有与每个聚光突起的弧形凸面表面对应的连续弧形状结构,用于将经聚光后的入射光线再次反射至光电二极管中,保证了近红外光在硅衬底里吸收比例的大幅上升,提高了背照式像素单元的近红外量子效率。本发明还公开了一种提高量子效率的图像传感器像素单元结构的形成方法。

著录项

  • 公开/公告号CN109509763B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-03-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海微阱电子科技有限公司;

    申请/专利号CN201811267857.4

  • 发明设计人 顾学强;

    申请日2018-10-29

  • 分类号H01L27/146(20060101);

  • 代理机构31275 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人陶金龙;张磊

  • 地址 201203 上海市浦东新区芳春路400号1幢3层

  • 入库时间 2022-08-23 11:33:49

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