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公开/公告号CN111490763B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-03-02
原文格式PDF
申请/专利权人 浙江铖昌科技股份有限公司;
申请/专利号CN202010582938.4
发明设计人 李博;黄剑华;朱恒;陈湜;郑骎;
申请日2020-06-24
分类号H03K17/687(20060101);G01S7/02(20060101);H04B1/40(20150101);
代理机构11609 北京格允知识产权代理有限公司;
代理人张莉瑜
地址 310000 浙江省杭州市西湖区三墩镇西园三路3号5幢601室
入库时间 2022-08-23 11:33:34
机译: 开关型功率放大器和场效应晶体管,使用场效应管扩展的场效应管
机译: 带有集成发射/接收开关的射频前端系统
机译:厚膜SOI上正向和反向模式SiGe HBT射频开关的射频功率处理能力
机译:具有功率分配器/组合器结构的多触点射频微机电系统开关,适用于大功率应用
机译:具有用于开关模式射频功率放大器的辅助功率调节器的均流级联结构
机译:混合和开关操作模式下限幅放大器的输出功率稳定
机译:电控大功率射频开关的开发及其在有源射频脉冲压缩系统中的应用。
机译:单开关组合串联并联混合包络跟踪放大器用于宽带射频功率放大器应用
机译:电控大功率射频开关的研制及其在有源射频脉冲压缩系统中的应用
机译:中功率和高功率无源Q开关微芯片激光器