退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN110875063B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-02-19
原文格式PDF
申请/专利权人 昭和电工株式会社;
申请/专利号CN201910681488.1
发明设计人 福岛隆之;武晃司;柴田寿人;山口健洋;茂智雄;张磊;徐晨;梅本裕二;小柳浩;丹羽和也;神边哲也;
申请日2019-07-26
分类号G11B5/48(20060101);G11B5/66(20060101);
代理机构11227 北京集佳知识产权代理有限公司;
代理人舒艳君;王秀辉
地址 日本东京都
入库时间 2022-08-23 11:32:31
机译: 用于热辅助磁存储装置的高密度磁记录介质
机译: 热辅助磁记录介质和磁存储装置
机译:多孔氧化铝膜及其形成方法,磁记录介质和磁存储装置
机译:多孔氧化铝膜及其形成相同,磁记录介质和磁存储装置的方法
机译:在双记录层垂直磁记录介质的底层上进行热辅助记录,用于二维和半二维(2.5D)磁数据存储
机译:光磁记录介质中热磁写入过程的时间分辨观察
机译:磁存储装置的微磁建模
机译:了解氮在具有和不具有超薄碳涂层的磁记录介质的等离子体辅助表面改性中的作用
机译:使用超导磁存储装置的动态电压恢复辅助开关耦合电感器逆变器提高质量问题的力量,具有空间矢量脉冲宽度调制技术
机译:热辅助磁随机存取存储器中的自旋注入