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改善场发射显示器的纳米碳管电子发射源性能的方法

摘要

一种改善场发射显示器的纳米碳管电子发射源性能的方法,该方法是先取阴极结构,将该阴极结构及金属面板与电泳电极的阴极相连接;在连接完成后,将该欲被电泳沉积的阴极结构一侧与该金属面板保持一固定距离平行设置,再将连接后的该阴极结构及金属面板放置在电泳槽的溶液中,利用电源供应器提供阴阳极直流电压以形成电场,将纳米碳管电泳沉积制作在阴极电极以形成电子发射源;将沉积后的阴极结构取出进行低温简单焙烤,以移除在阴极结构上多余的乙醇溶液。此时,辅助盐氯化铟与电解的氢氧基离子形成氢氧化铟,之后再进行烧结,该阴极电极层上的氢氧化铟将再氧化为氧化铟,增加了该纳米碳管与阴极电极层的电子传导关系。

著录项

  • 公开/公告号CN100437881C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2008-11-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 东元奈米应材股份有限公司;

    申请/专利号CN200510053856.6

  • 申请日2005-03-14

  • 分类号H01J9/02(20060101);

  • 代理机构11204 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人余朦;方挺

  • 地址 中国台湾

  • 入库时间 2022-08-23 09:01:18

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2010-08-04

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01J 9/02 授权公告日:20081126 申请日:20050314

    专利权的终止

  • 2008-11-26

    授权

    授权

  • 2006-11-22

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-09-20

    公开

    公开

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