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一种具有线性导电特性的碳化硼基复相陶瓷材料及其制备方法

摘要

本发明公开一种具有线性导电特性的碳化硼基复相陶瓷材料及其制备方法。所述碳化硼基复相陶瓷材料包括碳化硼基体以及分散于所述碳化硼基体周围的碳第二相材料,所述碳第二相优选以石墨相形式存在;其中碳第二相材料的含量为2~10wt%时所述复相陶瓷材料的导电性为非线性特性,非线性系数α为1.17~1.30;所述碳第二相材料的含量≥10wt%时所述复相陶瓷材料的导电性为线性特性,所述碳化硅基复相陶瓷的电阻率为56.2Ω·cm以下。

著录项

  • 公开/公告号CN111410537B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-02-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院上海硅酸盐研究所;

    申请/专利号CN202010212477.1

  • 发明设计人 陈健;祝明;黄政仁;杨晓;刘岩;

    申请日2020-03-24

  • 分类号C04B35/563(20060101);C04B35/622(20060101);C04B35/64(20060101);

  • 代理机构31261 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人郑优丽;牛彦存

  • 地址 200050 上海市长宁区定西路1295号

  • 入库时间 2022-08-23 11:32:05

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