具有凹口鳍片的FINFET及其形成方法

摘要

本发明涉及具有凹口鳍片的FINFET及其形成方法，其一个方面提供一种形成替代栅极结构的方法。该方法可包括：自一组鳍片上方移除伪栅极，以在介电层中形成开口来暴露该组鳍片，该组鳍片中的各鳍片通过介电质与该组鳍片中的相邻鳍片基本隔开；在该组暴露鳍片上方的该开口内形成保护覆盖层；移除该组鳍片中各鳍片的每侧上的该介电质的部分；通过移除该组鳍片中的各鳍片的部分来底切该组鳍片中的各鳍片，以形成设于该保护覆盖层下方的凹口；用氧化物基本填充各凹口；在该组鳍片中的各鳍片上方形成栅极介电质；以及在该栅极介电质上方形成栅极导体，从而形成该替代栅极结构。